Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.
Категория: электроника
Правообладатель: МИСиС
Год: 2002
Легальная стоимость: 288.00 руб.
Ограничение по возрасту: 0+
Комментарии ():