Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

4.15 из 5, отдано 22 голосов

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.

Категория: учебники и пособия для вузов

ISBN: 978-5-7782-1618-1

Правообладатель: Новосибирский государственный технический университет

Легальная стоимость: 115.00 руб.

Ограничение по возрасту: 0+

Читать книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» онлайн:

Комментарии ():