Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении

2.5 из 5, отдано 19 голосов

В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.

Категория: учебники и пособия для вузов

ISBN: 978-5-8114-1375-1

Правообладатель: Издательство ЛАНЬ

Легальная стоимость: 462.00 руб.

Ограничение по возрасту: 0+

Читать книгу «Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении» онлайн:

Комментарии ():